[SK하이닉스] DDR5보다 80% 속도 빠른 서버용 D램 'MCR DIMM' 세계최초 개발, 인텔과 협업 / DDR이란? D램 특징

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SK하이닉스, DDR5 현존 최고 8Gbps 이상의 속도구현, 서버용 D램 'MCR DIMM' 개발, 인텔, 르네사스와 협업

 

SK하이닉스는 지난 8일 세계 최고속 서버용 D램 제품인 ‘DDR5 MCR DIMM’의 샘플 개발에 세계 최초로 성공했다고 밝혀왔다.

 

이번 샘플 제품은 동작 속도가 초당 8Gb(기가비트) 이상으로, 초당 4.8Gb인 서버용 DDR5보다 속도가 80% 넘게 빨라졌다.

 

 

MCR DIMM이란?
DDR(Double Data Rate)은 서버와 PC에 주로 들어가는 D램(동적 램, 임의 접근 기억 장치의 한 종류) 규격으로, 현재 5세대인 DDR5까지 개발됨.
MCR DIMM(Multiplexer Combined Ranks Dual In-line Memory Module)은 여러 개의 D램이 기판에 결합된 모듈 제품으로, 모듈의 기본 정보처리 동작 단위인 랭크(Rank) 2개가 동시 작동되어 속도가 향상된 제품임

*랭크(Rank): D램 모듈에서 CPU로 내보내는 기본 데이터 전송 단위의 묶음. 보통 64바이트(Byte)의 데이터가 한 묶음 단위가 돼 CPU에 전송됨

 

 

 

 

 

 

SK하이닉스 측은 이번 MCR DIMM 개발에 DDR5의 동작 속도를 높이기 위해 새로운 개념이 도입됐다고 알렸다.

 

하이닉스는 "그동안 DDR5의 속도는 D램 단품의 동작 속도에 좌우된다는 것이 일반적인 인식이었다. 하지만 이번 제품에서는 D램 단품이 아닌, 모듈을 통해 속도를 높이는 방향으로 개발이 진행됐다. SK하이닉스 기술진은 MCR DIMM에 탑재한 데이터 버퍼(Buffer)*를 사용해 D램 모듈의 기본 동작 단위인 랭크 2개가 동시 작동하도록 설계했다."며 MCR DIMM에 대해 설명했다.

*버퍼(Buffer): D램 모듈 위에 같이 탑재돼 D램과 CPU 사이의 신호 전달 성능을 최적화하는 부품. 고성능과 안정성이 요구되는 서버용 D램 모듈에 주로 탑재됨

 

보통의 D램 모듈에서는 1개의 랭크에서 한번에 64바이트(Byte)의 데이터가 CPU(Central Processing Unit, 중앙정보처리장치)에 전송되지만, MCR DIMM에서는 2개의 랭크가 동시 동작해 128바이트가 CPU에 전송된다.

 

이처럼 모듈에서 CPU로 가는 회당 데이터 전송량을 늘림으로써 SK하이닉스는 D램 단품보다 2배 가까이 빠른, 8Gbps 이상의 속도를 구현해냈다고 밝힌 것이다.

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▲ SK하이닉스가 개발한 세계 최고속 서버용 D램 제품 ‘DDR5 MCR DIMM 동작 구조

 

 

SK하이닉스는 이번 제품 개발을 성공하는 데 미국 인텔(Intel), 일본 르네사스(Renesas)와의 글로벌 협업이 주효했다고 강조했다.

 

3사는 제품이 나오고 세계 최고 속도와 성능이 검증되기까지 긴밀하게 협업해 왔다.

 

SK하이닉스 류성수 부사장(DRAM상품기획담당)은 “당사의 모듈 설계 역량에 인텔의 서버 CPU와 르네사스의 버퍼 기술력이 융합되면서 이번 제품 개발이 가능했다, 실제로 MCR DIMM이 안정적으로 성능을 내려면, 모듈 내외에서 함께 동작하는 데이터 버퍼와 서버 CPU간의 상호작용이 매우 중요하다”고 말했다.

 

데이터 버퍼는 모듈에서 보내는 다수의 신호를 중간에서 전송해주고, 서버 CPU는 데이터 버퍼를 거쳐 오는 신호를 받아들여 처리하는 역할을 수행한다.

 

이어 류 부사장은 “세계 최고 속도의 MCR DIMM 개발을 통해 당사는 또 한번 DDR5의 기술력 진화를 이뤄냈다, 앞으로도 당사는 기술한계 돌파를 위해 지속적으로 노력하여, 서버용 D램 시장에서 1등 경쟁력을 공고히 하겠다”고 덧붙였다.

 

인텔의 디미트리오스 지아카스(Dimitrios Ziakas) 메모리 IO(Input/Output) 기술부문 부사장은 “인텔은 SK하이닉스와 함께 당사의 차세대 서버 CPU에 최적화돼 적용될 초고속 제품 개발을 주도해왔다, 앞으로도 양사는 MCR DIMM의 표준화와 후속 제품 개발을 위해 긴밀히 협업하겠다”고 말했다.

 

르네사스의 사미르 쿠파할리(Sameer Kuppahalli) 메모리 인터페이스 부문 부사장은 “이번에 르네사스가 개발한 데이터 버퍼는 제품의 구상부터 완성까지 3년 동안 여러 기술이 집약된 노력의 결실이다. SK하이닉스, 인텔과 협업해 혁신적인 제품을 개발하게 되어 자랑스럽다”고 밝혔다.

 

SK하이닉스는 향후 고성능 컴퓨팅 시장에서 MCR DIMM의 수요가 크게 늘어날 것으로 보고 있다.

 

회사는 고객 수요가 본격화되는 시점에 맞춰 이 제품을 양산할 계획이다.

 

 

 

 

 

SK하이닉스, 2022년 3분기 매출액, 영업이익 등 경영실적 발표

 

D램과 낸드 제품 수요가 부진해지면서 판매량과 가격이 모두 하락, 전분기 대비 매출이 감소

 

최신 공정인 10나노 4세대 D램(1a)과 176단 4D 낸드의 판매 비중과 수율을 높여 원가경쟁력이 개선됐음에도 불구하고, 원가 절감폭보다 가격 하락폭이 커서 영업이익도 크게 줄었다고 설명

 

이날 실적발표를 통해 SK하이닉스는 경영환경의 불확실성이 지속되면서 메모리 반도체 산업이 전례 없는 시황 악화 상황에 직면했다고 진단

 

이는 메모리 주요 공급처인 PC, 스마트폰을 생산하는 기업들의 출하량이 감소했기 때문

 

 

2022년 3분기 경영실적 비교표 (K-IFRS 기준)

(단위:억원)	2022년 3분기	전기 대비		전년 동기 대비
		2022년 2분기	증감률	2021년 3분기	증감률
매출액	109,829	138,110	-20%	118,053	-7%
영업이익	16,556	41,926	-61%	41,718	-60%
영업이익률	15%	30%	-15%P	35%	-20%P
당기순이익	11,027	28,768	-62%	33,153	-67%

 

 

 

※자세한 정보는를  SK하이닉스 홈페이지를 통해 확인가능

 

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